中国率先实现铌酸锂单晶薄膜产业化

       铌酸锂晶体是集电光、声光、压电、光弹、非线性、光折变及激光活性等效应于一身的人工合成晶体。我国现已研制出铌酸锂单晶薄膜产品并量产，采用离子注入及直接键合等技术，从铌酸锂体材料上剥离出厚度仅有数百纳米的单晶薄膜，用其制成器件与传统器件相比在性能、体积、功耗等方面都具有明显优势，此举使我国具有了全球领先产业化生产铌酸锂单晶薄膜的能力，标志着我国在光电新材料领域实现重大突破。同时，在声表面波、电光调制、探测器、集成光学、非线性光学、信息存储等器件中具有重要应用前景，例如理论上可使集成度提高100万倍以上;用其制成存储器件存储容量大，读取速度快(纳秒级)，抗干扰能力强。在航空航天、雷达、红外探测器、手机、电视、光通讯、以及军工技术中发挥重要作用。

　　
目前，铌酸锂单晶薄膜已引起了业界广泛关注，这一创新具有自主知识产权，能改变相关产业结构，带来巨大经济效益及社会效益，并有望在更多应用领域实现突破。